Joanna Prazmowska, Wojciech Piotr Macherzynski, Regina Paszkiewicz
Study of Interface of Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure
Číslo: 2/2016
Periodikum: Advances in Electrical and Electronic Engineering
DOI: 10.15598/aeee.v14i2.1584
Klíčová slova: AIIIBV-N heterostructures; metal-semiconductor interface; Ti/Al/Ni/Au metallization, AIIIBV-N heterostruktury; Kovové polovodičové rozhraní; Ti / Al / Ni / Au metalizace.
Pro získání musíte mít účet v Citace PRO.