Arpad Kosa, Lubica Stuchlikova, Ladislav Harmatha, Jaroslav Kovac, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Composition Related Electrical Active Defect States of InGaAs and GaAsN
Číslo: 1/2017
Periodikum: Advances in Electrical and Electronic Engineering
DOI: 10.15598/aeee.v15i1.2023
Klíčová slova: Deep energy levels; Deep Level Transient Fourier Spectroscopy; electrically active defects; GaAsN; indium; InGaAs; nitrogen; solar cells, Úrovně hluboké energie; Přechodná Fourierová spektroskopie; Elektricky aktivní poruchy; GaAsN; indium; InGaAs; dusík; solární články.
Pro získání musíte mít účet v Citace PRO.